کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411125 | 894548 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A normalized analytical solution for the capacitance associated with a MOSFET surface under non-equilibrium conditions is presented. It is shown that this model can be mapped into an equivalent equilibrium problem with 98% accuracy for near intrinsic samples (UBÂ â
 2). The precision becomes even better for highly doped semiconductors. The physics behind this transformation is explained and nomograms generated to present data in a highly normalized form.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 976-980
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 976-980
نویسندگان
Abhishek Kapoor, R.P. Jindal,