کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411125 894548 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium
چکیده انگلیسی
A normalized analytical solution for the capacitance associated with a MOSFET surface under non-equilibrium conditions is presented. It is shown that this model can be mapped into an equivalent equilibrium problem with 98% accuracy for near intrinsic samples (UB ≅ 2). The precision becomes even better for highly doped semiconductors. The physics behind this transformation is explained and nomograms generated to present data in a highly normalized form.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 976-980
نویسندگان
, ,