کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411194 | 894558 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical non-linear charge control model for InAlAs/InGaAs/InAlAs double heterostructure high electron mobility transistor (DH-HEMT)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An analytical charge control model for sheet carrier density is presented for InAlAs/InGaAs/InAlAs double heterostructure high electron mobility transistor (DH-HEMT). The model uses a polynomial dependence of sheet carrier concentration on position of quasi-Fermi energy level to successfully predict the gradual saturation of charge in the device and is valid from subthreshold region to high conduction region for both the channels. The model has been extended to calculate Id-Vd characteristics, transconductance and cut-off frequency of the device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 167-174
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 167-174
نویسندگان
Ritesh Gupta, Sandeep Kumar Aggarwal, Mridula Gupta, R.S. Gupta,