کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411601 | 894671 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spectral sensitivity of graphene/silicon heterojunction photodetectors
ترجمه فارسی عنوان
حساسیت طیفی از فتوتکردهای ناهمگن گرافن / سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We have studied the optical properties of two-dimensional (2D) Schottky photodiode heterojunctions made of chemical vapor deposited (CVD) graphene on n- and p-type silicon (Si) substrates. Much better rectification behavior is observed from the diodes fabricated on n-Si substrates in comparison with the devices on p-Si substrates in dark condition. Also, graphene - n-Si photodiodes show a considerable responsivity of 270Â mAÂ Wâ1 within the silicon spectral range in DC reverse bias condition. The present results are furthermore compared with that of a molybdenum disulfide (MoS2) - p-type silicon photodiode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 207-212
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 207-212
نویسندگان
Sarah Riazimehr, Andreas Bablich, Daniel Schneider, Satender Kataria, Vikram Passi, Chanyoung Yim, Georg S. Duesberg, Max C. Lemme,