کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411615 | 894761 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A unified short-channel compact model for cylindrical surrounding-gate MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A compact model of short-channel effects for GAA MOSFET has been developed. ⺠The model uses a well-known extraction method making the model simple and accurate. ⺠Each term is used in a model core in order to provide a short-channel correction. ⺠The compact model is well described and is suitable with circuit design tools. ⺠The model is validated using TCAD simulations for all gate lengths down to 10nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 40-46
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 40-46
نویسندگان
Bastien Cousin, Marina Reyboz, Olivier Rozeau, Marie-Anne Jaud, Thomas Ernst, Jalal Jomaah,