کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411633 | 894761 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A surface potential based drain current model for asymmetric double gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We model a surface potential based drain current for asymmetric DG MOSFETs. ⺠The model is applicable for both heavily and lightly doped Silicon channel. ⺠The surface potential at both the gates are solved using proper Iterative techniques. ⺠The effect of volume inversion is shown in case of lightly doped channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 148-154
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 148-154
نویسندگان
Pradipta Dutta, Binit Syamal, N. Mohankumar, C.K. Sarkar,