کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411678 | 894775 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A quasi-analytical breakdown voltage model in four-layer punch-through TVS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A quasi-analytical model addressed to predict the breakdown voltage in four-layer transient voltage suppressor (TVS) diodes based on the punch-through effect is reported in this paper. For breakdown voltage in excess of 1Â V, a closed form expression is derived. In addition, the three-layer TVS diode can also be described with the developed model. Finally, results obtained from the model are in good agreement with simulation and experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1309-1313
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1309-1313
نویسندگان
Jesus Urresti, Salvador Hidalgo, David Flores, Jaume Roig, José Rebollo, Imanol Mazarredo,