کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411694 | 894775 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-resistivity ZrNx metal gate in MOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Zirconium nitride (ZrN) is presented as a metal gate candidate for future MOSFET components. Low resistivity (70 μΩ cm) of the ZrNx thin film and n-type work function (4.0 eV) of the ZrNx/SiO2/p-Si MOS capacitor structure are achieved by reactively sputter depositing the ZrNx at low nitrogen gas flows. The resistivity of the ZrNx film is nearly un-affected by RTP annealing up to 600 °C whilst the work function increases slightly to 4.2 eV. By depositing the ZrNx at higher nitrogen gas flow, the work function is found to increase to a value of 4.65 eV, closer to mid-gap of Si. Further increase to 4.9 eV occurs after RTP annealing at 600 °C, which is almost suitable for pMOS components. At the same time, the resistivity increases to about 300 μΩ cm. These initial results make ZrNx a promising metal gate in a gate last process, where the thermal budget is kept low.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1410-1413
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1410-1413
نویسندگان
J. Westlinder, J. Malmström, G. Sjöblom, J. Olsson,