کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411698 | 894775 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoscale FinFET simulation: A quasi-3D quantum mechanical model using NEGF
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, a numerical simulation of FinFET is carried out. This computational model is also applicable to nanowires. The non-equilibrium Green's function (NEGF) is used to handle the quantum transport along the channel, and 2-D Schrödinger equation is solved at the channel cross-section to obtain the electron density profile. With the 3-D Poisson's equation solved self-consistently, the model provides insights into the performance of FinFETs with ultra-small channel cross-dimension.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1435-1445
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1435-1445
نویسندگان
Xue Shao, Zhiping Yu,