کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411745 | 894788 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Unified current equation for predictive modeling of submicron MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
For short-channel submicron MOS devices, we present a unified current equation, which covers both weak and strong inversion. The current in weak inversion is controlled by the subthreshold slope, for which we derive a new physics-based, predictive model. Furthermore, a new model for the carrier mobility is presented, which allows to derive closed-form current equations with good scalability. The approaches have been implemented in the compact model PREDICTMOS and are qualified by comparison with numerical device simulations and measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 85-95
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 85-95
نویسندگان
Alexander Kloes,