کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411910 | 894841 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of silicon nanocrystal size and density on the performance of non-volatile memory arrays
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Silicon nanocrystal memories offer opportunities for voltage scaling and process simplification for embedded non-volatile memories. While electrically isolated nanocrystals mitigate charge loss through oxide defects, the impact of nanocrystal size and density characteristics as well as statistical fluctuations on memory arrays is not well understood. This paper shows that the memory window and high temperature data retention are roughly insensitive over a broad range of nanocrystal characteristics. Further, data from mega-bit arrays shows that nanocrystal coalescence effects are small.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1722-1727
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1722-1727
نویسندگان
R.A. Rao, H.P. Gasquet, R.F. Steimle, G. Rinkenberger, S. Straub, R. Muralidhar, S.G.H. Anderson, J.A. Yater, J.C. Ledezma, J. Hamilton, B. Acred, C.T. Swift, B. Hradsky, J. Peschke, M. Sadd, E.J. Prinz, K.M. Chang, B.E. Jr.,