کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411945 | 894849 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the significance of the surface states in isolated AlxGa1âxN/GaN heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The significance of the surface states in isolated AlxGa1âxN/GaN heterostructures is investigated. A model based on a self-consistent solution of the Schrödinger, Poisson and charge balance equations is presented. The singular value decomposition is used to calculate the eigenstates of the real non-symmetric matrix which is obtained when a non-uniform mesh is used. The discontinuity of the spontaneous and piezoelectric polarization at the interface is taken into account. The results obtained for the 2DEG density and the surface potential agree well with theoretical and experimental data already published.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 612-617
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 612-617
نویسندگان
Juan Antonio Casao Pérez,