کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413387 | 895565 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimisation of a 4H-SiC enhancement mode power JFET for high temperature operation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show that a device with a finger with of 1.9 μm is optimal across the temperature range studied, due to the maintenance of the forward blocking voltage at approximately 1200 V. The reduction in the controlled power density as the temperature increases is linked to the drop in forward current density of the device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 453-458
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 453-458
نویسندگان
P. Bhatnagar, A.B. Horsfall, N.G. Wright, C.M. Johnson, K.V. Vassilevski, A.G. O'Neill,