کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413392 | 895565 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A design oriented charge-based current model for symmetric DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose a design oriented charge-based model for undoped DG MOSFETs under symmetrical operation that aims at giving a comprehensive understanding of the device from the design strategy. In particular, we introduce useful normalizations for current and charges that in turn lead to very simple relationships among the physical quantities. Finally, we emphasize on the link that exists between this approach and the EKV formalism derived for bulk MOSFETs, which in turn leads to the unique gms/ID design methodology for DG architectures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 485-489
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 485-489
نویسندگان
Jean-Michel Sallese, François Krummenacher, Fabien Prégaldiny, Christophe Lallement, A. Roy, C. Enz,