کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413393 | 895565 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effective resistivity of fully-processed SOI substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effective resistivity of fully-processed SOI substrates Effective resistivity of fully-processed SOI substrates](/preview/png/10413393.png)
چکیده انگلیسی
We introduce in this work a new quality factor called effective resistivity (Ïeff), which is used to characterize and fairly compare the substrate resistivity of fully processed SOI wafers. The impacts on Ïeff (and thus on microwave losses) of the bias (Va), fixed oxide charges (Qox), traps at the SiO2/Si interface (Dit), oxide thickness (tox) and line geometry are quantified and discussed for the first time. Different design and technological conclusions are drawn.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 491-496
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 491-496
نویسندگان
D. Lederer, Jean-Pierre Raskin,