کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707102 | 1023607 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of 8Â MeV Si ions irradiation and thermal annealing in ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of 8Â MeV Si ions irradiation and thermal annealing in ZnO thin films Effect of 8Â MeV Si ions irradiation and thermal annealing in ZnO thin films](/preview/png/10707102.png)
چکیده انگلیسی
⺠ZnO thin films were deposited by RF magnetron sputtering on silicon (100) wafers. Samples were irradiated by 8 MeV Si ions and thermal annealed treatment. Defects inside the thin films and its implications were discussed by PL and SE. PL confirmed the presence of energy states in the forbidden band-gap. SE by T-L plus Lorentz oscillator was the best model to describe irradiated sample. Band-gap energy and excitonic position post-treatment effect have been reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 169-173
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 169-173
نویسندگان
D.R. Hernández-Socorro, Z. Montiel-González, S.E. Rodil-Posada, L. Flores-Morales, H. Cruz-Manjarrez, J.M. Hernández-Alcántara, L. RodrÃguez-Fernández,