کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707139 | 1023631 | 2011 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Generation and annihilation of point defects by doping impurities during FZ silicon crystal growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Impurity doping during FZ silicon crystal growth on birth and death of intrinsic point defects. ⺠Molecular nitrogen shown by IR removes both secondary defects of self-interstitial and vacancy. ⺠Seven kinds of impurities having covalent bonding radii that are smaller or larger than that of silicon. ⺠Such impurity doping demonstrates birth and death of point defects according to Vegard's law.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 4-15
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 4-15
نویسندگان
Takao Abe,