| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10707159 | 1023631 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Compared growth characteristics of Bi2Se3 films on different substrate/buffers. ⺠Suggested criteria of a suitable substrate for Bi2Se3 epitaxial growth. ⺠Identified a good substrate, i.e., In2Se3, for high quality epitaxial Bi2Se3 film.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 96-102
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 96-102
نویسندگان
												Z.Y. Wang, H.D. Li, X. Guo, W.K. Ho, M.H. Xie,