کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707159 | 1023631 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Compared growth characteristics of Bi2Se3 films on different substrate/buffers. ⺠Suggested criteria of a suitable substrate for Bi2Se3 epitaxial growth. ⺠Identified a good substrate, i.e., In2Se3, for high quality epitaxial Bi2Se3 film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 96-102
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 96-102
نویسندگان
Z.Y. Wang, H.D. Li, X. Guo, W.K. Ho, M.H. Xie,