کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10707159 1023631 2011 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates
چکیده انگلیسی
► Compared growth characteristics of Bi2Se3 films on different substrate/buffers. ► Suggested criteria of a suitable substrate for Bi2Se3 epitaxial growth. ► Identified a good substrate, i.e., In2Se3, for high quality epitaxial Bi2Se3 film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 96-102
نویسندگان
, , , , ,