کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707180 | 1023631 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature](/preview/png/10707180.png)
چکیده انگلیسی
⺠PAMBE-GaN NWs' length dispersion investigated as a function of temperature. ⺠Time necessary for ripening of all NWs' precursors increases with temperature. ⺠Length dispersion correlated to duration of nucleation process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 177-180
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 177-180
نویسندگان
Rafael Mata, Karine Hestroffer, Jorge Budagosky, Ana Cros, Catherine Bougerol, Hubert Renevier, Bruno Daudin,