کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707217 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain relaxation in GaN/Al0.1Ga0.9N superlattices for mid-infrared intersubband absorption
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have studied the strain relaxation in GaN/Al0.1Ga0.9N superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on different buffer layers. A periodic relaxation detected in situ was identified as an elastic phenomenon related to the stress induced by the Ga excess adlayer. Plastic relaxation results in an increase of the density of type a dislocations, which is minimum in the case of growth on GaN. There is no evidence of stacking fault formation or crack propagation in any of the samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 64-67
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 64-67
نویسندگان
Y. Kotsar, P.K. Kandaswamy, A. Das, E. Sarigiannidou, E. Bellet-Amalric, E. Monroy,