کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707220 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of InGaN by RF-MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of InGaN by RF-MBE Growth and characterization of InGaN by RF-MBE](/preview/png/10707220.png)
چکیده انگلیسی
In this contribution we report on the growth of coherently strained, pseudomorphic InGaN layers on GaN templates by RF-MBE. Structural properties characterized by HR-XRD exhibit good crystalline quality and homogeneity of the grown layers. The incorporation efficiency of In into the InGaN layer was estimated and compared to the literature. Characterization by AFM and in situ RHEED observation showed differences in surface morphology between nitrogen rich and metal rich growth conditions. Further investigations of the optical properties were carried out by PL and spectroscopic ellipsometry measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 72-75
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 72-75
نویسندگان
A. Kraus, S. Hammadi, J. Hisek, R. BuÃ, H. Jönen, H. Bremers, U. Rossow, E. Sakalauskas, R. Goldhahn, A. Hangleiter,