کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10707244 1023644 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical and structural properties of Pb1−xEuxTe/CdTe//GaAs (0 0 1) heterostructures grown by MBE
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Optical and structural properties of Pb1−xEuxTe/CdTe//GaAs (0 0 1) heterostructures grown by MBE
چکیده انگلیسی
MBE growth conditions, SEM and XRD structural characterization and experimental studies of optical properties are presented for Pb1−xEuxTe/CdTe semiconductor heterostructures grown on GaAs (0 0 1) substrate with a thick CdTe buffer layer. Photoluminescence excited by pulsed YAG:Nd laser was studied in the mid-infrared spectral region for 12.5 nm-thick Pb1−xEuxTe quantum wells (x=0-0.038) with 75 nm-thick CdTe barriers. Increasing the Eu content up to about 4 at% permitted large infrared photoluminescence tuning from 0.34 to 0.465 eV due to the increase in Pb1−xEuxTe bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 140-143
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , ,