کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707244 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical and structural properties of Pb1âxEuxTe/CdTe//GaAs (0Â 0Â 1) heterostructures grown by MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
MBE growth conditions, SEM and XRD structural characterization and experimental studies of optical properties are presented for Pb1âxEuxTe/CdTe semiconductor heterostructures grown on GaAs (0Â 0Â 1) substrate with a thick CdTe buffer layer. Photoluminescence excited by pulsed YAG:Nd laser was studied in the mid-infrared spectral region for 12.5Â nm-thick Pb1âxEuxTe quantum wells (x=0-0.038) with 75Â nm-thick CdTe barriers. Increasing the Eu content up to about 4Â at% permitted large infrared photoluminescence tuning from 0.34 to 0.465Â eV due to the increase in Pb1âxEuxTe bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 140-143
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 140-143
نویسندگان
E. Smajek, M. Szot, L. Kowalczyk, V. Domukhovski, B. Taliashvili, P. Dziawa, W. Knoff, E. Åusakowska, A. Reszka, B. Kowalski, M. Wiater, T. Wojtowicz, T. Story,