کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707293 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Site-controlled In(Ga)As/GaAs quantum dots for integration into optically and electrically operated devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Site-controlled In(Ga)As/GaAs quantum dots for integration into optically and electrically operated devices Site-controlled In(Ga)As/GaAs quantum dots for integration into optically and electrically operated devices](/preview/png/10707293.png)
چکیده انگلیسی
We investigated the growth and device integration of site-controlled In(Ga)As quantum dots (SCQDs) on a pre-patterned substrate. A high substrate temperature of 545 °C during growth ensures optimal SCQD nucleation on square arrays from 200 nm up to 10 μm period. The SCQDs exhibit a small inhomogeneous broadening of the ensemble emission and a rather narrow single SCQD linewidth. We used a scalable alignment technique to integrate the SCQDs into a p-i-n diode and observe electroluminescence of a single SCQD with a linewidth of 400 μeV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 194-197
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 194-197
نویسندگان
A. Huggenberger, C. Schneider, C. Drescher, S. Heckelmann, T. Heindel, S Reitzenstein, M. Kamp, S. Höfling, L. Worschech, A. Forchel,