کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707349 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the growth of InAs nanowires by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of InAs nanowires by molecular beam epitaxy only takes place in a narrow temperature range, independent of the method used to induce the growth: with (Au or Mn) or without metal catalysts. Our findings suggest that the physical chemistry of the intermetallic compound formed during the catalyzed growth of the NWs is not relevant for the induction of the growth. Moreover, the lattice structure of the wires always shows wurtzite sections. Our results indicate the need of a unified model for the metal-catalyzed and self-catalyzed growth of nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 297-300
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 297-300
نویسندگان
Faustino Martelli, Silvia Rubini, Fauzia Jabeen, Laura Felisari, Vincenzo Grillo,