کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707369 | 1023644 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Importance of kinetics effects in the growth of germanium nanowires by vapour-liquid-solid Molecular Beam Epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Germanium nanowires with diameters from 10 to 70 nm and lengths up to 3 μm have been grown by Vapour-Liquid-Solid Molecular Beam Epitaxy (VLS MBE) on Ge (1 1 1), Si (0 0 1) and Si (1 1 0) substrates. The growth of nanowires was induced by gold droplets. We show that substrate temperature and germanium deposition rate, which determine surface diffusion length, are key parameters governing nanowires nucleation and growth phenomena. We also show that nanowires growth directions are independent of the strain induced by lattice mismatch.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 334-339
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 334-339
نویسندگان
C. Porret, T. Devillers, A. Jain, R. Dujardin, A. Barski,