کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707528 | 1023660 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tuning light absorption by band gap engineering in ZnCdO as a function of MOVPE-synthesis conditions and annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Options of flow rate and growth temperature variations were investigated in order to reveal limitations for single phase wurtzite ZnCdO synthesis by atmospheric pressure metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). It is found that in spite of efficient Cd incorporation (up to 60%), the wurtzite phase and the corresponding single step absorption threshold dominate only up to a Cd content â¤17% in the as-grown samples. Post-fabrication anneals reveal two characteristic optical absorption edges at â¼2.3 and â¼3.15 eV that were associated with direct band gaps of cubic CdO and thermodynamically stable wurtzite ZnCdO, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 301-304
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 301-304
نویسندگان
Vishnukanthan Venkatachalapathy, Augustinas Galeckas, Raja Sellappan, Dinko Chakarov, Andrej Yu. Kuznetsov,