دانلود مقالات ISI درباره A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

Experimental study of the orientation dependence of indium incorporation in GaInN

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Termination of hollow core nanopipes in GaN by an AlN interlayer

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A1. TEM; A1. Nanopipes; A3. Metal Organic Vapor Phase Epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Adsorption of gallium on GaN(0001) surface in ammonia-rich conditions: A new effect associated with the Fermi level position

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Analysis of the VIS–NIR spectral reflectance of Bi/GaAs structures grown by MOVPE and UHVE

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Bismuth compounds; A1. Crystal morphology; A1. Refractive index; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and characterization of wurtzite GaP nanowires with control over axial and radial growth by use of HCl in-situ etching

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Investigation of the microstructure of metallic droplets on Ga(AsBi)/GaAs

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Electron microscopy; A1. Recrystallization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interfaces using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapor phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Tuning light absorption by band gap engineering in ZnCdO as a function of MOVPE-synthesis conditions and annealing

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Band gap engineering; A1. Light absorption; A1. Phase separation; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. ZnCdO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low temperature II–VI nanowire growth using Au–Sn catalysts

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of polar axis oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films on CaF2 substrates with transparent (La0.07Sr0.93)SnO3

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Oxides; B1. Transparent (La0.07Sr0.93)SnO3; B2. Ferroelectric materials; B2. Polar axis oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Well width study of InGaN multiple quantum wells for blue–green emitter

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Segregation; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low press; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Characterization of GaInN/GaN layers for green emitting laser diodes

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; 68.65.Ac; 68.65.Fg; 78.55.Et; 81.15.Gh; 85.60.Jb; 42.55.PxA1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Non-linear kinetic analysis on GaAs selective area MOVPE combined with macro-scale analysis to extract major reaction mechanism

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 82.33.Ya; A1. Surface reaction kinetics; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth; B1. GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reactor-scale uniformity of selective-area performance in InGaAsP system

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Material studies regarding InP-based high-efficiency solar cells

Keywords: A3 اپتیکاسیون فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 84.60.JtA1. III–V solar cells; A1. InP-based materials; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه