کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489852 | 1524374 | 2016 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Termination of hollow core nanopipes in GaN by an AlN interlayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nanopipes associated to screw dislocations are studied by transmission electron microscopy in Si-doped GaN films grown on silicon substrates. The observations revealed that dislocations had an empty core and that an AlN interlayer is suited to block their propagation. The termination mechanism is discussed in terms of strain and kinetic growth factors, which may affect the creation and propagation of nanopipes. According to the observations, it is proposed that either step pinning or lateral overgrowth occurring at the proximity of the defect assists in capping the nanopipe.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 455, 1 December 2016, Pages 43-48
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 455, 1 December 2016, Pages 43-48
نویسندگان
O. Contreras, F. Ruiz-Zepeda, M. Avalos-Borja, A. Dadgar, A. Krost,