کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10714068 | 1025568 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Green electroluminescence from an n-ZnO: Er/p-Si heterostructured light-emitting diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Erbium-doped ZnO (ZnO:Er) thin films with various doping concentrations were deposited on p-Si substrates by ultrasonic spray pyrolysis (USP). The n-ZnO:Er/p-Si heterojunctions were further employed to fabricate light-emitting diodes (LEDs). The devices showed diode-like rectifying current-voltage characteristics with a low reverse breakdown voltage, attributed to the avalanche breakdown. A distinct green electroluminescence peaking at 537Â nm and 558Â nm were observed at room temperature under reverse bias. The green electroluminescence originated from the electron impact excitation of Er3+ ions doped in ZnO films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 14, 15 July 2012, Pages 2721-2724
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 14, 15 July 2012, Pages 2721-2724
نویسندگان
S. Iwan, S. Bambang, J.L. Zhao, S.T. Tan, H.M. Fan, L. Sun, S. Zhang, H.H. Ryu, X.W. Sun,