کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10998345 1414358 2017 23 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Opto-Electronics Review - Volume 25, Issue 2, June 2017, Pages 148-170
نویسندگان
, , , , , ,