کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10998358 | 1414359 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emission
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emission Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emission](/preview/png/10998358.png)
چکیده انگلیسی
Investigations of electron photo-field emission demonstrated that the Fowler-Nordheim plots of the emission current have different slopes for nonilluminated and illuminated devices. A model based on the electron emission from valleys having different specific electron affinities is proposed to explain the experimental results. In the absence of illumination the emission takes place only from the lower valley. Upon UV illumination and presence of a high electric field at the emitter tip, the upper valley of the conduction band appears to be occupied by electrons generated at the valence band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Opto-Electronics Review - Volume 25, Issue 3, September 2017, Pages 251-262
Journal: Opto-Electronics Review - Volume 25, Issue 3, September 2017, Pages 251-262
نویسندگان
V. Litovchenko, A. Evtukh, A. Grygoriev,