کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11001470 | 49613 | 2019 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature growth and extrinsic doping of mono-crystalline and polycrystalline II-VI solar cells by MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low temperature growth and extrinsic doping of mono-crystalline and polycrystalline II-VI solar cells by MBE Low temperature growth and extrinsic doping of mono-crystalline and polycrystalline II-VI solar cells by MBE](/preview/png/11001470.png)
چکیده انگلیسی
An investigation of low temperature MBE growth of crystalline Cd(1-x)Zn(x)Te with 0â¯â¤xâ¯â¤â¯1, in the range 220â¯ââ¤Ts â¤â¯320â¯â, and extrinsic doping is conducted. This results in the construction of homo-junction crystalline solar cells on lattice-mismatched 211B and 111B GaAs substrates. Doping and composition studies of crystalline layers are used as a guide for low-temperature, high growth-rate, MBE grown polycrystalline CdTe solar cells on various n-type emitters and different back-contacts. The best resulting devices reach efficiencies of 14.7% under AM 1.5â¯g, without an anti-reflection coating.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 189, January 2019, Pages 118-124
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 189, January 2019, Pages 118-124
نویسندگان
Peter Dingus, James Garnett, Shumin Wang, Chaehwi Chong,