کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11020025 | 1717616 | 2019 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of the growth temperature of α-Ga2O3 epilayers grown by halide vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the optimized temperature for the growth of α-Ga2O3 on α-Al2O3 substrate using halide vapor phase epitaxy. The α-Ga2O3 epilayer grown at 470â¯Â°C exhibited the lowest full-width-at-half-maximum values for the (0006) and (10-14) peaks in the X-ray omega-scan rocking curve, which confirmed that the growth temperature strongly influenced the phase transition of Ga2O3 and affected the crystal quality of the α-Ga2O3 epitaxial layers. In addition, the impurity concentration in this α-Ga2O3 epilayer as determined by secondary ion mass spectroscopy was found to be in the range of 1016-1018â¯cmâ3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 773, 30 January 2019, Pages 631-635
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 773, 30 January 2019, Pages 631-635
نویسندگان
Hoki Son, Dae-Woo Jeon,