کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268644 | 972415 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the switching mechanism in Rose Bengal-based memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Impedance switching has been observed in many organic devices, but the mechanism is still a matter of debate. Reliable switch devices consisting of an organic layer of Rose Bengal derivatives sandwiched in between indium tin oxide and aluminum electrodes were fabricated. Modifying the chemical nature of the organic layers and visualizing the temperature distribution in the organic memory rule out several mechanisms. It is shown that the memory effect originates from filamentary switching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 5, October 2007, Pages 559–565
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 5, October 2007, Pages 559–565
نویسندگان
Fredrik L.E. Jakobsson, Xavier Crispin, Michael Cölle, Michael Büchel, Dago M. de Leeuw, Magnus Berggren,