کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1332199 | 979032 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Density functional study on electronic properties of P-doped spinel silicon carbon nitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We performed density functional calculations on the electronic properties of P-doped spinel silicon carbon nitride. When Si is replaced by C at the tetrahedral sites of P-doped c-Si3N4, the band gap can be adjusted, and an insulator-to-metal transition is predicted to occur at the C-to-Si ratio of 0.27. Finally, some possible examinations and potential applications for the large band-gap reduction are discussed.
We performed density functional calculations to predict the insulator-to-metal transition by replacing Si by C at the tetrahedral sites of P-doped c-Si3N4.Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 181, Issue 8, August 2008, Pages 2113–2116
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 181, Issue 8, August 2008, Pages 2113–2116
نویسندگان
Yufen Zhang, Xian Zhao, Xiufeng Cheng, Yuguang Mu,