کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1431091 | 1509189 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence study of the nitrogen content effect on GaAs/GaAs1 − xNx/GaAs/AlGaAs: (Si) quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoluminescence study of the nitrogen content effect on GaAs/GaAs1 − xNx/GaAs/AlGaAs: (Si) quantum well Photoluminescence study of the nitrogen content effect on GaAs/GaAs1 − xNx/GaAs/AlGaAs: (Si) quantum well](/preview/png/1431091.png)
چکیده انگلیسی
We study the effect of nitrogen content in modulation-doped GaAs/GaAs1 − xNx/GaAs/GaAlAs:(Si) quantum well using low-temperature photoluminescence spectroscopy. The samples were grown on GaAs (001) substrates by molecular-beam epitaxy with different nitrogen compositions. The variation of the nitrogen composition from 0.04% to 0.32% associated to the bi-dimensional electron gas gives a new interaction mode between the nitrogen localized states and the GaAs1 − xNx/GaAs energies levels. The red-shift observed in photoluminescence spectra as function of nitrogen content has been interpreted in the frame of the band anticrossing model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 28, Issues 5–6, 1 July 2008, Pages 816–819
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 28, Issues 5–6, 1 July 2008, Pages 816–819
نویسندگان
A. Hamdouni, F. Bousbih, S. Ben bouzid, S. Aloulou, J.C. Harmand, R. Chtourou,