دانلود مقالات ISI درباره Gaasn + ترجمه فارسی

Ultrathin GaAsN matrix-induced reduced full width at half maximum of GaAsN/InAs/GaAsN dot-in-a-well heterostructures with extended emission wavelength

Keywords: Dot-in-a well structure; GaAsN; Emission extension; Reduced FWHM; RTA; Defect elimination;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions

Keywords: Semiconductor structure; Composition; Deep energy level; Deep Level Transient Spectroscopy; InGaAs; GaAsN; AP-MOVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Vertical strain-induced dot size uniformity and thermal stability of InAs/GaAsN/GaAs coupled quantum dots

Keywords: GaAsN; Coupled quantum dots; Dot size uniformity; Deep level defects; Local vibrational mode; Strain coupling; Thermal stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Low temperature photo-induced carrier dynamics in the GaAs0.985N0.015 alloy

Keywords: GaAsN; Photoluminescence; Localization; Diamagnetic shift;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes

Keywords: GaAsN; Schottky barrier diodes (SBDs); Growth orientation; C-V and G/ω-V characteristics; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Theoretical investigation of GaAsBi/GaAsN tunneling field-effect transistors with type-II staggered tunneling junction

Keywords: TFET; Band to band tunneling (BTBT); Heterojunction; GaAsBi; GaAsN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations

Keywords: GaAsN; First principle calculation; N incorporation; Growth orientation; Chemical potentials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates

Keywords: GaAsN; Schottky diode; Growth orientation; I-V characteristics; C-V characteristics; Electrical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 21 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Voltage limitation analysis in strain-balanced InAs/GaAsN quantum dot solar cells applied to the intermediate band concept

Keywords: Solar cell; Intermediate band; Quantum dot; Concentrated light; Band anticrossing; GaAsN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of annealing temperature on electrical characteristics of Ti/Au/GaAsN Schottky diode with 0.2% nitrogen incorporation

Keywords: GaAsN; Annealing; I–V characteristics; C–V–f measurements; Negative capacitance; Schottky diode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of electron and proton irradiation on recombination centers in GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Keywords: Chemical beam epitaxy; DLTS; Irradiation; Hydrogenation; GaAsN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Capacitance–voltage and current–voltage characteristics for the study of high background doping and conduction mechanisms in GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Keywords: GaAsN; Current–voltage; Capacitance–voltage; DLTS; Recombination; Background doping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Formation of GaAs1−xNx nanofilm on GaAs by low energy N2+ implantation

Keywords: 61.72.Vv; 68.55.Nq; 82.80.Pv; GaN; GaAsN; Nitridation; Implantation; Electron spectroscopy; AES; EELS; Chemical composition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Double carriers pulse DLTS for the characterization of electron–hole recombination process in GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Keywords: GaAsN; GaAs; Chemical beam epitaxy; Deep-level transient spectroscopy; Recombination center

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Relation between N-H complexes and electrical properties of GaAsN determined by H implantation

Keywords: GaAsN; N-H complex; Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR); Implantation; Chemical beam epitaxy (CBE);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigation of melt-grown dilute GaAsN and GaInAsN nanostructures for photovoltaics

Keywords: Liquid phase epitaxy; GaAsN; GaInAsN; Photoluminiscence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of the nitrogen content effect on GaAs/GaAs1 − xNx/GaAs/AlGaAs: (Si) quantum well

Keywords: GaAsN; Photoluminescence spectroscopy; Activation energy; Doping III–V semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optical properties of GaInNAsSb/GaAs/GaAs1−xNx (x ≈ 10%) saturable absorber quantum wells

Keywords: GaInNAsSb; GaAsN; Molecular beam epitaxy; Semiconductor saturable absorber;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrical properties of GaAsN film grown by chemical beam epitaxy

Keywords: GaAsN; Chemical beam epitaxy; FTIR; Hole concentration;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Strong coupling between bi-dimensional electron gas and nitrogen localized states in heavily doped GaAs1−xNx structures

Keywords: GaAsN; 2DEG; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence spectroscopy; Si-doping; Activation energy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of rapid thermal annealing observed by photoluminescence measurement in GaAs1 − xNx layers

Keywords: GaAsN; Molecular beam epitaxy; Rapid thermal annealing (RTA); Photoluminescence (PL); Irradiance; Slope;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surfactant and impurity properties of antimony on GaAs and GaAs1−xNx on GaAs [100] by solid source molecular beam epitaxy

Keywords: 81.15.Hi; 78.55.Cr; 68.37.Yz; 68.49.Sf; MBE; PL; XRD; SIMS; GaAsN; Surfactant;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه