کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1440237 1509363 2016 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microelectronic properties of organic Schottky diodes based on MgPc for solar cell applications
ترجمه فارسی عنوان
خواص میکرو الکترونیک دیودهای آلی شاتکی بر اساس MgPc برای کاربردهای سلول خورشیدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
کلمات کلیدی
فتالوسیانین منیزیم؛ دیود شاتکی؛ اسپین پوشش؛ اثر نوع هدایت نوع سوبسترا؛ تبخیر حرارتی؛ اندازه گیری جریان ولتاژ
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد بیومتریال
چکیده انگلیسی


• The magnesium phthalocyanine (MgPc) baesed Schottky diodes are fabricated using four inorganic semiconductor (n-GaAs, n-Si, p-InP, p-Si) by the spin-coating.
• This study reviews the crucial effect of (p and n) type conductivity of different material substrates on the electrical parameters of organic MgPc Schottky diodes for the use in such organic microelectronics applications.

The magnesium phthalocyanine (MgPc) based Schottky diodes are fabricated using four inorganic semiconductors (n-GaAs, n-Si, p-InP, p-Si)by the spin-coating process at 2000 rpm for 1 min. Their microelectronic and photoelectrical parameters are investigated from the current-voltage I–V characteristics measurements at room temperature in dark and under light. The ln I–V plots, Cheung and Norde methods are used to extract the MgPc based Schottky diodes parameters in dark, including ideality factor (n), barrier height (Φb), series resistance (Rs) and the obtained values are compared. The MgPc/n-Si showed excellent n of 1.1 which is very closer to ideal Schottky diode behavior, high Фb of 0.98 eV and low series resistance of 237.77 Ω in contrast MgPc/p-Si showed non-ideal Schottky diode behavior with n of 2.42 and high series resistance of 1.92 × 103 Ω. The MgPc/p-InP exhibited photovoltaic behavior with excellent JSC of 3.11 × 103 mA/cm2 and a photosensitivity of 30.46. The I–V forward bias in log scale have been investigated to survey the dominated conduction mechanism. This study reviews thecrucial effect of (p and n) type conductivity substrates on the electrical parameters of organic MgPc Schottky diodes for the use in such organic photovoltaic applications.

Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 214, April 2016, Pages 76–81
نویسندگان
, , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت