کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1525108 1511840 2010 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reverse-loop impedance profile in Bi2S3 quantum dots
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Reverse-loop impedance profile in Bi2S3 quantum dots
چکیده انگلیسی

Bismuth sulfide quantum dots (ϕ ∼ 12 nm) with two-dimensional platelet morphology synthesized using a simple aqueous colloidal method exhibit directional growth along 〈2 1 1〉 direction. Impedance characteristics of this two-dimensional quantum structure yields a characteristic semi-circular profile due to a classical Voigt element in addition to a semi-circle like loop in the negative imaginary part of the impedance Nyquist plot. The apparent inductive reverse-loop impedance profile observed, a distinguishing feature of this study can be explained on the basis of an unusual negative resistor–capacitor combination, realized due to relaxation of surface states in this technologically important semiconductor–quantum structure.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 121, Issues 1–2, 15 May 2010, Pages 184–192
نویسندگان
, ,