کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1605816 1516217 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High speed and multi-level resistive switching capability of Ta2O5 thin films for nonvolatile memory application
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High speed and multi-level resistive switching capability of Ta2O5 thin films for nonvolatile memory application
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 676, 15 August 2016, Pages 356-360
نویسندگان
, , , , ,