کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1606742 | 1516233 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
β-Ga2O3/p-Si heterojunction solar-blind ultraviolet photodetector with enhanced photoelectric responsivity
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: β-Ga2O3/p-Si heterojunction solar-blind ultraviolet photodetector with enhanced photoelectric responsivity β-Ga2O3/p-Si heterojunction solar-blind ultraviolet photodetector with enhanced photoelectric responsivity](/preview/png/1606742.png)
چکیده انگلیسی
In this work, (2¯01) oriented β-Ga2O3 thin films have been grown on p-type silicon (100) substrates by laser molecular beam epitaxy. β-Ga2O3/Si p-n heterojunctions are formed as a deep ultraviolet (UV) solar-blind photodetector. Those heterojunctions exhibit obvious rectifying characteristics and excellent solar-blind UV photoresponse. The responsivity reaches 370 A/W at 3 V reverse bias under 254 nm UV irradiation. The corresponding external quantum efficiency is over 1.8 Ã 105%. The combination of wide bandgap semiconductor with silicon might open up possibilities for future generation deep UV solar-blind optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 660, 5 March 2016, Pages 136-140
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 660, 5 March 2016, Pages 136-140
نویسندگان
X.C. Guo, N.H. Hao, D.Y. Guo, Z.P. Wu, Y.H. An, X.L. Chu, L.H. Li, P.G. Li, M. Lei, W.H. Tang,