| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1607296 | 1516236 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Nanostructured yttria dispersion-strengthened tungsten synthesized by sol-gel method
												
											ترجمه فارسی عنوان
													تنگستن تقویت شده با پراکندگی نیتروژن اتریتی سنتز شده با روش سل-ژل 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												تنگستن، ریز ساختار، سولفات سدیم ژل تقویت پراکندگی اکسید،
																																							
												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فلزات و آلیاژها
												
											چکیده انگلیسی
												Yttria dispersion-strengthened tungsten with both enhanced strength and ductility was synthesized through sol-gel method followed by sintering and high-temperature swaging. The sol-gel synthesis process involving a molecular-level doping leads to a unique nanostructure that Y2O3 nano-particles were homogeneously dispersed in tungsten grains interior. The nanosized Y2O3 particles in sol-gel synthesized W-1%Y2O3 are stable in size even under a high sintering temperature of 2300 °C. The swaged sol-gel W-1%Y2O3 show ductility at a relative low temperature of 250 °C, which is about 100 °C and 250 °C lower than that of spark-plasma-sintered sol-gel W-1%Y2O3 and ball-milling synthesized W-1%Y2O3, respectively. The sol-gel method provides a promising access to high-performance nanostructured tungsten materials with both high strength and ductility, and can be easily scaled for industrial production.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 657, 5 February 2016, Pages 73-80
											Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 657, 5 February 2016, Pages 73-80
نویسندگان
												R. Liu, Z.M. Xie, Q.F. Fang, T. Zhang, X.P. Wang, T. Hao, C.S. Liu, Y. Dai, 
											