کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1618736 | 1516383 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Core level photoelectron spectroscopy of LiGaS2 and Ga–S bonding in complex sulfides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The electronic parameters of the lithium thiogallate LiGaS2 have been evaluated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Spectral features of all constituent element core levels and Auger lines have been considered. The Ga–S bonding effects in Ga-bearing sulfide crystals have been discussed using binding energy difference Δ2p(S–Ga) = BE(S 2p) − BE(Ga 3d) as a representative parameter to quantify the valence electron shift from gallium to sulfur atoms. The value Δ2p(S–Ga) = 141.9 eV found for LiGaS2 is very close to that evaluated for AgGaS2. This relation is an indicator of closely coincident ionicity of Ga–S bonds in LiGaS2 and AgGaS2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 497, Issues 1–2, 14 May 2010, Pages 244–248
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 497, Issues 1–2, 14 May 2010, Pages 244–248
نویسندگان
V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, S.I. Lobanov,