کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1619085 | 1516384 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab-initio investigation of structural, electronic and optical properties of InxGa1−xAs, GaAs1−yPy ternary and InxGa1−xAs1−yPy quaternary semiconductor alloys
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The structural, electronic and optical properties of InxGa1−xAs, GaAs1−yPy ternary and InxGa1−xAs1−yPy quaternary semiconductor alloys are investigated using first-principles plane-wave pseudo-potential method within the LDA approximations. For these alloys lattice parameters, bulk modulus, band gap energy and density of states are calculated. Besides, we have calculated the optical parameters (dielectric functions, energy loss function, reflectivity, absorption and refractive index) of these semiconductor alloys. Our results agree well with the available theoretical and experimental data in the literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 496, Issues 1–2, 30 April 2010, Pages 226–233
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 496, Issues 1–2, 30 April 2010, Pages 226–233
نویسندگان
M. Othman, E. Kasap, N. Korozlu,