کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1623435 | 1516406 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on growth and characterization of ScAlMgO4 substrate crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Lattice-matched ScAlMgO4 substrate crystal for GaN and ZnO epitaxy has been grown by the Czochralski method. Polarizing microscopy observation and transmission spectrum indicate that the as-grown crystal is of good crystallization quality. The full width at half maximum (FWHM) value is 42.64 arc s. The absorption peak centered at 196 nm is caused by electronic transition from valence band to conduction band. Based on the investigations of sub-grain boundaries and cracking, the methods for reducing them are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 471, Issues 1–2, 5 March 2009, Pages L43–L46
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 471, Issues 1–2, 5 March 2009, Pages L43–L46
نویسندگان
Huili Tang, Jun Xu, Yongjun Dong, Hui Lin, Feng Wu,