کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1656266 | 1008236 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of large-area graphene oxide sheets with a high density of carboxyl groups using O2/H2 low-damage plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
SLGVUVGraphene oxide - اکسید گرافنOES - بلهBiosensor - بیوسنسورChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییCVD - رسوب دهی شیمیایی بخار Optical emission spectroscopy - طیف سنجی انتشار نوریX-ray photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتر اشعه ایکسXPS - طیف نگاری فوتوالکترونی اشعه ایکسVacuum ultraviolet - ماوراء بنفش خلاءLarge-area - منطقه بزرگPoly(methyl methacrylate) - پلی (متیل متاکریلات)PMMA - پلی (متیل متاکریلات) Single-layer graphene - گرافن تک لایهCarboxyl group - گروه کاربوکسیل
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have used low-damage O2 plasma treatment (O2-LDPT), with chemically reactive radicals generated in an inductively coupled plasma system equipped with a complementary filter, to prepare large-area graphene oxide (GO) sheets. Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy demonstrated that oxidative functionalities were formed on the graphene surfaces. However, the carboxyl group, which is the most important functional group for biological applications, only occupied about 6.1% of the GO sheets formed using O2-LDPT. By adding H2 during O2-LDPT, the compositional ratio of carboxyl group could be greatly increased to 10.8%. Optical emission spectroscopy revealed that this enhancement was achieved because of the presence of hydroxyl radicals in O2/H2-LDPT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 303, Part A, 15 October 2016, Pages 170-175
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 303, Part A, 15 October 2016, Pages 170-175
نویسندگان
Hsiang-En Cheng, Yin-Yin Wang, Po-Chen Wu, Chi-Hsien Huang,