| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1657177 | 1517612 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
کلمات کلیدی
1.مقدمه
2. بخش آزمایشگاهی
3. نتایج و بحث
3.1 نرخ لایه نشانی
3.2 XRD
جدول 1. پارامترهای لایه نشینی فیلم‌های AIN
شکل 1. رابطه بین نرخ لایه نشانی فیلم‌های AIN و توان کندوپاش
شکل 2(a) الگوهای XRD فیلم‌های AIN رشد کرده در سطح توان مختلف در RT (b) الگوهای XRD فیلم‌های AIN رشد کرده بر روی شیشه در توان 600W باضخامت متفاوت.
شکل 3. تصاویر AFM فیلم‌های AIN رشد کرده در RT با مقدار توان متفاوت (a) 300W (b) 400W (c) 500W و (d) 600W
3.3 AFM
3.4 SEM
3.5 رسانایی گرمایی
جدول 2. میانگین مجذور چقرمگی (Ra) و میانگین قطر ذرات (D) در RT با مقدار توان متفاوت: (a) 300W؛ (b) 400 W (c) 500W و (d) 600W
شکل 4(a) تصاویر SEM فیلم‌های AIN آماده‌شده با توان 600W در RT (b) مقطع عرضی فیلم‌های AIN آماده‌شده با توان 600W در RT.
جدول 3. رسانایی گرمایی مؤثر فیلم‌های AIN آماده‌شده بر روی شیشه باضخامت‌های متفاوت
شکل 5. مقاومت گرمایی فیلم‌های AIN آماده‌شده بر روی شیشه باضخامت‌های متفاوت
4. نتیجه‌گیری
• Aluminum nitride thermal conductivity measured by TDTR method to be 13 W/m·K
• Thermal conductivity is related to film thickness and crystal orientation.
• Aluminum nitride film growth rate can reach 3.3 μm/h.
Aluminum nitride (AlN) thin film, due to its electrical and thermal properties, can be used as thermal interface material for flexible electronics. The relationship between thermal conductivity and microstructure of aluminum nitride film was studied on films grown on glass by DC magnetron reactive sputtering at room temperature. The crystal orientation, deposition rate and grain size of AlN films were affected by the deposition power. The crystallization quality and the effective thermal conductivity of the AlN films were strongly dependent on the film thickness at the optimum power of 600 W. The bulk thermal conductivity of AlN films was found to be 15.4 W/(m·K) in this study.
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 267, 15 April 2015, Pages 65–69