کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1657177 1517612 2015 5 صفحه PDF 13 صفحه WORD دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Aluminum nitride thin film growth and applications for heat dissipation
ترجمه فارسی عنوان
رشد فیلم نازک آلومینیوم نیترید و کاربردهای آن جهت استهلاک حرارت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
فهرست مطالب مقاله
چکیده

کلمات کلیدی

1.مقدمه

2. بخش آزمایشگاهی 

3. نتایج و بحث 

3.1 نرخ لایه نشانی

3.2 XRD

جدول 1. پارامترهای لایه نشینی فیلم‌های AIN

شکل 1. رابطه بین نرخ لایه نشانی فیلم‌های AIN و توان کندوپاش

شکل 2(a) الگوهای XRD فیلم‌های AIN رشد کرده در سطح توان مختلف در RT (b) الگوهای XRD فیلم‌های AIN رشد کرده بر روی شیشه در توان 600W باضخامت متفاوت. 

شکل 3. تصاویر AFM فیلم‌های AIN رشد کرده در RT با مقدار توان متفاوت (a) 300W (b) 400W (c) 500W و (d) 600W

3.3 AFM

3.4 SEM

3.5 رسانایی گرمایی

جدول 2. میانگین مجذور چقرمگی (Ra) و میانگین قطر ذرات (D) در RT با مقدار توان متفاوت: (a) 300W؛ (b) 400 W (c) 500W و (d) 600W

شکل 4(a) تصاویر SEM فیلم‌های AIN آماده‌شده با توان 600W در RT (b) مقطع عرضی فیلم‌های AIN آماده‌شده با توان 600W در RT.

جدول 3. رسانایی گرمایی مؤثر فیلم‌های AIN آماده‌شده بر روی شیشه باضخامت‌های متفاوت 

شکل 5. مقاومت گرمایی فیلم‌های AIN آماده‌شده بر روی شیشه باضخامت‌های متفاوت 

4. نتیجه‌گیری

 
ترجمه چکیده
می‌توان از فیلم نازک آلومینیوم نیترید (AIN) به دلیل خصوصیات الکتریکی و حرارتی آن، به‌عنوان ماده واسط در الکترونیک انعطاف‌پذیر استفاده کرد. رابطه بین رسانایی گرمایی و ریزساختار فیلم آلومینیوم نیترید بر روی فیلم‌های رشد کرده بر روی شیشه به‌وسیله کندوپاش واکنشی مغناطیسی DC در دمای اتاق بررسی شده است. جهت‌گیری بلوره، نرخ لایه نشانی و اندازه ذرات فیلم‌های AIN تحت تأثیر توان لایه نشانی قرارگرفته است. کیفیت بلوری‌شدن و رسانایی حرارتی مؤثر فیلم‌های AIN وابستگی زیادی به ضخامت فیلم در توان بهینه 600 W داشته‌اند. در این پژوهش، رسانایی گرمایی حجمی فیلم‌های AIN به میزان 15.4W/(m.k) محاسبه‌شده است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی


• Aluminum nitride thermal conductivity measured by TDTR method to be 13 W/m·K
• Thermal conductivity is related to film thickness and crystal orientation.
• Aluminum nitride film growth rate can reach 3.3 μm/h.

Aluminum nitride (AlN) thin film, due to its electrical and thermal properties, can be used as thermal interface material for flexible electronics. The relationship between thermal conductivity and microstructure of aluminum nitride film was studied on films grown on glass by DC magnetron reactive sputtering at room temperature. The crystal orientation, deposition rate and grain size of AlN films were affected by the deposition power. The crystallization quality and the effective thermal conductivity of the AlN films were strongly dependent on the film thickness at the optimum power of 600 W. The bulk thermal conductivity of AlN films was found to be 15.4 W/(m·K) in this study.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 267, 15 April 2015, Pages 65–69
نویسندگان
, , , , , , ,