کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1657866 | 1008313 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterization of transparent n-ZnS/p-diamond film heterojunction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We prepare transparent n-ZnS/p-diamond heterojunction diodes. ⺠The diode shows rectifying behavior with turn-on voltage of ~ 1.1 V. ⺠The current transport mechanism depends on applied bias voltages. ⺠The diode has a broad transparent band from 500 nm to 800 nm region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 228, Supplement 1, 15 August 2013, Pages S397-S400
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 228, Supplement 1, 15 August 2013, Pages S397-S400
نویسندگان
Jian Huang, Linjun Wang, Ke Tang, Meiai Lin, Yingzhou Yu, Xionggang Lu, Yiben Xia,