کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1657866 1008313 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterization of transparent n-ZnS/p-diamond film heterojunction
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Fabrication and characterization of transparent n-ZnS/p-diamond film heterojunction
چکیده انگلیسی
► We prepare transparent n-ZnS/p-diamond heterojunction diodes. ► The diode shows rectifying behavior with turn-on voltage of ~ 1.1 V. ► The current transport mechanism depends on applied bias voltages. ► The diode has a broad transparent band from 500 nm to 800 nm region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 228, Supplement 1, 15 August 2013, Pages S397-S400
نویسندگان
, , , , , , ,