کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689281 | 1011224 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ohmic contacts with palladium diffusion barrier on III–V semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ohmic contacts with a palladium (Pd) diffusion barrier were formed on GaAs substrates. The metal-contact structure consists of a gold-based-alloy/Pd/semiconductor-substrate. Characteristics of the deposited Pd films by “electroless” deposition on semiconductor-substrates are reported. SIMS analysis realized on the metal-semiconductor structures demonstrates the capability of the Pd films to act as a diffusion barrier. Contact resistance of the ohmic contacts was measured by the transmission line method (TLM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 10, 19 May 2010, Pages 1195–1198
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 10, 19 May 2010, Pages 1195–1198
نویسندگان
M. Galván-Arellano, J. Díaz-Reyes, R. Peña-Sierra,