کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788554 | 1023473 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance and the low voltage operating InGaZnO thin film transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we compare the electrical properties of inverted-coplanar-type InGaZnO thin-film transistors (IGZO TFTs) deposited by RF sputtering at room temperature on a thermally grown SiO2 gate dielectric or a hafnium oxide (HfO2) gate dielectric. The fabricated HfO2/IGZO TFTs have higher field-effect mobility than the SiO2/IGZO TFTs. The HfO2/InGaZnO TFTs show good performance with a high field-effect mobility of 25.8 cm2 V−1 s−1, a low sub-threshold swing of 90 mV dec−1, and a threshold voltage of 0.67 V, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 4, Supplement, November 2010, Pages e157–e160
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 4, Supplement, November 2010, Pages e157–e160
نویسندگان
Dae-ho Son, Dae-Hwan Kim, Shi-Joon Sung, Eun-Ae Jung, Jin-Kyu Kang,