کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789613 | 1524383 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heavy p-type carbon doping of MOCVD GaAsP using CBrCl3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
CBrCl3 is shown to be a useful precursor for heavy p-type carbon doping of GaAsxP1âx grown via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) across a range of compositions. Structural and electrical properties of the GaAsP films were measured for various processing conditions. Use of CBrCl3 decreased the growth rate of GaAsP by up to 32% and decreases x by up to 0.025. The dependence of these effects on precursor inputs is investigated, allowing C-doped GaAsP films to be grown with good thickness and compositional control. Hole concentrations of greater than 2Ã1019Â cmâ3 were measured for values of x from 0.76 to 0.90.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 446, 15 July 2016, Pages 7-11
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 446, 15 July 2016, Pages 7-11
نویسندگان
Christopher Heidelberger, Eugene A. Fitzgerald,